半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置，具有高耐压功率器件IGBT的半导体装置中，背面的p集电极层(4)的硼(B)的注入量为约3×1013/cm2，注入能量为约50KeV，注入深度为约0.5μm。此外，n+型缓冲层(5)的磷(P)的注入量为约3×1012/cm2，注入能量为约120KeV，注入深度为约20μm。作为寿命的控制，从半导体衬底(100)的背面侧照射质子。作为最优条件，质子的照射量为约1×1011/cm2，照射到距背面约32μm的深度位置。由此，没有快回现象，并且能够谋求低饱和电压Vce(sat)和补偿电压(Eoff)之间的折衷特性的改善。

主权项

一种半导体装置，其中，具备：在第一导电型的半导体衬底的表面侧设置的半导体元件区域；从所述半导体衬底的背面侧朝向所述半导体衬底的深度方向设置的第二导电型的集电极层以及第一导电型的缓冲层，所述集电极层在从所述半导体衬底的背面侧的表面到深度0.5μm的区域包含第二导电型杂质区域、并且杂质浓度的最大值是2×1016/cm3，所述缓冲层在距所述半导体衬底的背面侧的表面的深度为0.5μm至20μm的区域包含第一导电型杂质、并且杂质浓度的最大值是3×1015/cm3，具有在距所述半导体衬底背面侧的表面32μm的深度区域包含缺陷层的施主化层。