| 发明名称 | 形成用于n-FET应用的HfSiN金属的方法 | ||
| 摘要 | 一种包括HfSiN的化合物金属，所述HfSiN为具有约4.0至约4.5eV，优选约4.3eV的功函数的n型金属，在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。此外，在高温(约1000℃的量级)下退火HfSiN/高k介质/界面层的叠层之后，存在对界面层的还原，由此栅极叠层产生非常小的等效氧化物厚度(典型的)，这是使用TaSiN所不能获得的。 | ||
| 申请公布号 | CN101789370B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010136612.5 | 申请日期 | 2005.12.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·C·卡勒伽里;M·M·弗兰克;R·詹米;D·L·拉赛;F·R·麦克菲力;S·扎法尔 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 一种制造HfSiN金属化合物的方法，包括以下步骤：提供Hf靶和包括Ar/N2/用He稀释的Si源的气氛；以及在所述气氛中从所述Hf靶溅射HfSiN膜，其中所述HfSiN膜具有3.7至4.5eV的功函数。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||