| 发明名称 | 一种制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法，包括：将GaSb衬底放在分子束外延设备样品架上，在530℃脱氧，然后将GaSb衬底升至560℃在Sb保护下除气3分钟；在520℃温度下在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；将GaSb衬底温度降至380至420℃，依次生长p型欧姆接触层、InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层，完成外延片的制备；将制备好的外延片采用标准光刻技术及磷酸、柠檬酸溶液刻蚀，露出p型欧姆接触层，然后分别在p型欧姆接触层和InAs盖层上溅射合金制作的电极。利用本发明，实现了利用InAs/GaSb超晶格材料制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN101777601B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010106773.X | 申请日期 | 2010.02.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王国伟;汤宝;周志强;任正伟;徐应强;牛智川 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法，其特征在于，包括：将GaSb衬底放在分子束外延设备样品架上，在530℃脱氧，然后将GaSb衬底升至560℃在Sb保护下除气3分钟；在520℃温度下在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；将GaSb衬底温度降至380至420℃，依次生长p型欧姆接触层、InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层，完成外延片的制备；将制备好的外延片采用标准光刻技术及磷酸、柠檬酸溶液刻蚀，露出p型欧姆接触层，然后分别在p型欧姆接触层和InAs盖层上溅射合金制作的电极。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||