具有碳化硅衬底的发光二极管

摘要

基于未掺杂的内禀SiC衬底(101)的发光二极管(100)，在该SiC衬底上生长有：绝缘缓冲结构或成核结构(102)；发光结构(112)；窗口层(107，108)；半透明的导电层(119)；结合焊盘粘结层(109)；p-型电极结合焊盘(110)；以及n-型电极结合焊盘(115)。在一个实施例中，衬底(101)的发光表面(130)被粗糙处理，以使光发射最大化。

主权项

一种发光二极管，其发射可见光谱中波长为400‑550nm部分的光，所述发光二极管包括：未掺杂的SiC衬底，包括：设置在该SiC衬底上表面上的外延层侧；和设置在该SiC衬底下表面上的发光侧，该发光侧设置为与该外延层侧相反，其中由该发光二极管产生的光通过该SiC衬底的外延层侧进入，经过该SiC衬底，并在该SiC衬底的发光侧发出；设置在所述SiC衬底上表面上的氮化物成核缓冲结构；设置在所述缓冲结构上的p‑n结二极管双异质结构，该p‑n结二极管双异质结构包括：第一覆层和第二覆层，所述第一覆层和所述第二覆层由二元第III族氮化物和三元第III族氮化物之一构成；第一窗口层，其由镁掺杂GaN形成，并设置在所述p‑n结二极管双异质结构上；第二窗口层，其由镁掺杂的GaN形成，并设置在所述第一窗口层上；导电层，其由NiO/Au形成，并设置在所述第二窗口层上，所述导电层的上表面是所述发光二极管的上表面，该导电层包括第一边缘和第二边缘，其中该第一边缘的位置与该第二边缘的位置相反；第一开口，其穿过所述导电层形成，并且位于该SiC衬底的外延层侧的该导电层的第一边缘附近，以便第一结合焊盘设置在所述第二窗口层的上表面上；第一电极，其设置在所述第一结合焊盘上；第二开口，其位于该SiC衬底的外延层侧的该导电层的第二边缘附近，所述第二开口在所述发光二极管中形成三围壁矩形凹槽，所述三围壁矩形凹槽的没有围壁的一侧位于所述第二边缘，所述第二开口贯穿直到所述第一覆层形成，所述第一覆层上设置有第二结合焊盘；以及第二电极，其设置在所述第二结合焊盘上。