发明名称 |
光电半导体本体 |
摘要 |
一种光电半导体本体(10)包括:具有用于发射电磁辐射(S)的正面(12)的衬底(11)。光电半导体本体(10)具有半导体层序列(14),所述半导体层序列(14)布置在衬底(11)的背面(13)上并且包括适于产生电磁辐射(S)的有源层(19)。光电半导体本体(10)还包括:布置在背向衬底(11)的半导体层序列(14)的第一表面(17)上的第一和第二电连接层(15,16)。 |
申请公布号 |
CN101796660B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN200880106173.4 |
申请日期 |
2008.08.27 |
申请人 |
欧司朗光电半导体有限公司 |
发明人 |
帕特里克·罗德;卡尔·恩格尔;马丁·斯特拉斯伯格;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;王春伟 |
主权项 |
一种光电半导体本体,包括:‑具有用于发射电磁辐射(S)的正面(12)的衬底(11),所述衬底(11)对电磁辐射(S)是透明的,‑布置在衬底(11)的背面(13)上并且具有至少一个n型层(20)、用于产生所述电磁辐射(S)的有源层(19)和至少一个p型层(21)的半导体层序列(14),‑布置在背向衬底(11)的半导体层序列(14)的第一表面(17)上的第一和第二电连接层(15,16),其中第一和第二电连接层彼此电绝缘,‑镜(27),所述镜(27)布置在背向衬底(11)的半导体层序列(14)的第一表面(17)上的特定区域中,以反射由有源层(19)产生的所述电磁辐射(S)的一部分,以及‑在所述镜(27)和所述有源层(19)中的至少一个凹陷(22),其中所述第一电连接层(15)通过所述至少一个凹陷(22)与所述至少一个n型层(20)接触。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |