发明名称 光电半导体本体
摘要 一种光电半导体本体(10)包括:具有用于发射电磁辐射(S)的正面(12)的衬底(11)。光电半导体本体(10)具有半导体层序列(14),所述半导体层序列(14)布置在衬底(11)的背面(13)上并且包括适于产生电磁辐射(S)的有源层(19)。光电半导体本体(10)还包括:布置在背向衬底(11)的半导体层序列(14)的第一表面(17)上的第一和第二电连接层(15,16)。
申请公布号 CN101796660B 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN200880106173.4 申请日期 2008.08.27
申请人 欧司朗光电半导体有限公司 发明人 帕特里克·罗德;卡尔·恩格尔;马丁·斯特拉斯伯格;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·扎巴蒂尔
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 顾晋伟;王春伟
主权项 一种光电半导体本体,包括:‑具有用于发射电磁辐射(S)的正面(12)的衬底(11),所述衬底(11)对电磁辐射(S)是透明的,‑布置在衬底(11)的背面(13)上并且具有至少一个n型层(20)、用于产生所述电磁辐射(S)的有源层(19)和至少一个p型层(21)的半导体层序列(14),‑布置在背向衬底(11)的半导体层序列(14)的第一表面(17)上的第一和第二电连接层(15,16),其中第一和第二电连接层彼此电绝缘,‑镜(27),所述镜(27)布置在背向衬底(11)的半导体层序列(14)的第一表面(17)上的特定区域中,以反射由有源层(19)产生的所述电磁辐射(S)的一部分,以及‑在所述镜(27)和所述有源层(19)中的至少一个凹陷(22),其中所述第一电连接层(15)通过所述至少一个凹陷(22)与所述至少一个n型层(20)接触。
地址 德国雷根斯堡