粘结薄膜的使用方法

摘要

本发明提供一种粘结薄膜的使用方法，该方法在高效地获得附有粘结薄膜的半导体芯片单片的同时，可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该使用方法，经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结薄膜(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序，从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序，至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结薄膜(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序，得到连接于配线基板的半导体芯片单片，由此防止半导体芯片的污染，而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。

主权项

一种粘结薄膜的使用方法，其为在半导体装置的制造中，使用通过加压及加热而硬化进而连接半导体芯片与配线基板的同时、使配线基板的配线与半导体芯片的端子电接通的粘结薄膜的使用方法，所述粘结薄膜含有树脂组合物与填充物，所述树脂组合物含有热塑性树脂、热硬性树脂以及硬化剂，相对于所述树脂组合物100质量份，含有所述填充物20～100质量份，当所述粘结薄膜在170～240℃加热5～20秒时，通过DSC(差示扫描量热仪)测得的发热量算出的所述粘结薄膜的反应率为50％以上；所述使用方法包含：准备层压体的工序，该层压体是以半导体晶片的电路面向着切割带一侧的方式，依次叠层所述切割带、所述粘结薄膜以及所述半导体晶片所得，从与所述半导体晶片的所述电路面相反一侧的面识别所述电路面的电路图案进而识别切割位置的工序，识别所述切割位置后，至少将所述半导体晶片以及所述粘结薄膜在所述层压体的厚度方向上切割的工序，在所述切割工序后使所述切割带硬化，通过将所述切割带与所述粘结薄膜剥离来制作附有所述粘结薄膜的半导体芯片的工序，使附有所述粘结薄膜的所述半导体芯片的电路面中的端子与配线基板的配线之间位置校准的工序，和以使所述配线基板的所述配线与所述半导体芯片的所述端子电接通的方式，通过所述粘结薄膜来连接所述配线基板与所述半导体芯片的工序。