发明名称 | 源气体供给方法 | ||
摘要 | 提供一种源气体供给方法,由化学蒸镀法进行薄膜蒸镀时使用,其包括:(a)源物质储存部储存固体状态的源物质的步骤;(b)源物质供给管将源物质储存部所储存的固体状态的源物质供给到源物质蒸发部的步骤;以及(c)源物质蒸发部对固体状态的源物质加热而产生源气体的步骤,在步骤(b)中,设置在源物质供给管上的源物质控制部将1批化学蒸镀工序所需要量的固体状态的源物质供给到源物质蒸发部,并且,源物质控制部在供给固体状态的源物质期间开放,在供给完固体状态的源物质之后关闭,步骤(c)中,供给至源物质蒸发部的1批化学蒸镀工序所需要量的固体状态的源物质全部被气化而供给到蒸镀室,由此执行1批化学蒸镀工序。 | ||
申请公布号 | CN101298666B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
申请号 | CN200810094831.4 | 申请日期 | 2008.04.28 |
申请人 | 泰拉半导体株式会社 | 发明人 | 李炳一;张泽龙 |
分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 陈英俊 |
主权项 | 一种源气体供给方法,由化学蒸镀法进行薄膜蒸镀时使用,其特征在于,包括:(a)源物质储存部储存作为源气体的原料的固体状态的源物质的步骤;(b)源物质供给管将所述源物质储存部所储存的固体状态的源物质供给到所述源物质蒸发部的步骤;以及(c)源物质蒸发部对所述固体状态的源物质加热而产生源气体的步骤,在所述步骤(b)中,设置在所述源物质供给管上的所述源物质控制部将1批化学蒸镀工序所需要的量的固体状态的源物质供给到所述源物质蒸发部,并且,所述源物质控制部在供给所述固体状态的源物质期间开放,在供给完所述固体状态的源物质之后关闭,在所述步骤(c)中,供给至所述源物质蒸发部的1批化学蒸镀工序所需要的量的固体状态的源物质全部被气化而供给到蒸镀室,由此执行1批化学蒸镀工序。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |