发明名称 |
一种半导体碳纳米管阵列的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体碳纳米管阵列的制备方法,包括以下步骤:提供一基底,在该基底的表面涂布一层催化剂前驱体;将涂布有催化剂前驱体的基底置于石英管中,然后将石英管置于反应炉内,加热所述基底至第一温度并保持一定时间;继续加热所述基底至第二温度并保持一定时间后,向所述反应炉内通入保护气体以排除反应炉内的空气;在保护气体下,引入还原气体并保持一定时间;向反应炉内通入载气气体与碳源气体的混合气并继续加热,在所述基底表面生长半导体碳纳米管阵列。 |
申请公布号 |
CN101857461B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201010201344.0 |
申请日期 |
2010.06.15 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
王雪深;李群庆;范守善 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种半导体碳纳米管阵列的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;在所述基底的一表面形成一催化剂前驱体,所述催化剂前驱体含有动物血液;将所述形成有催化剂前驱体的基底置于反应炉内,加热所述基底至第一温度并保持预定时间,以去除催化剂前驱体中的有机物并使催化剂前驱体中的铁元素氧化;在保护气体下,向反应炉内通入还原气体,对所述形成有催化剂前驱体的基底加热至第二温度并保持预定时间,以使催化剂前驱体中的铁元素还原;向反应炉中通入载气气体与碳源气体的混合气,在所述基底形成有催化剂前驱体的表面生长半导体碳纳米管阵列。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |