| 发明名称 | 隔离结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种隔离结构的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅；在沟槽内进行氧化物的填充及抛光，形成浅沟槽隔离区，并去除所述氮化硅层，露出隔离氧化层；采用氢氟酸对隔离氧化层进行厚度及均匀性控制；以隔离氧化层为掩膜，在半导体衬底上进行有源区注入；去除所述隔离氧化层。采用该方法在制作栅氧化层之前，只对半导体衬底进行了一次氧化，能够使半导体衬底和沟槽氧化物的拐角处的硅比较平滑，减少了半导体器件漏电现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN101958268B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200910055168.1 | 申请日期 | 2009.07.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐兆云 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种隔离结构的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅；在沟槽内进行氧化物的填充及抛光，形成浅沟槽隔离区，并去除所述氮化硅层，露出隔离氧化层；采用氢氟酸对隔离氧化层进行厚度控制；以隔离氧化层为掩膜，在半导体衬底上进行有源区注入；去除所述隔离氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||