发明名称 | 电子器件 | ||
摘要 | 本发明涉及电子器件,尤其是电子电路或电子模块,具有至少一个至少包括绝缘层和绝缘层一表面侧上至少一个第一金属敷设体的金属-绝缘层-基体,其第一金属敷设体结构化为构成金属敷设区域;第一金属敷设体的第一金属敷设区域上的至少一个产生损耗热量的电气或电子部件;第一金属敷设区域在与部件至少热连接的子区域上具有的层厚度大于第一金属敷设区域在第一子区域之外的层厚度。 | ||
申请公布号 | CN102484104A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
申请号 | CN201080029496.5 | 申请日期 | 2010.06.29 |
申请人 | 库拉米克电子学有限公司 | 发明人 | J·舒尔茨-哈德;A·迈耶 |
分类号 | H01L23/373(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/373(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 赵科 |
主权项 | 一种电子器件,尤其是电子电路或电子模块,具有:至少一个至少包括绝缘层(3)和该绝缘层(3)的一表面侧上至少一个第一金属敷设体(4)的金属‑绝缘层‑基体(2),所述金属‑绝缘层‑基体(2)的第一金属敷设体(4)被结构化为构成金属敷设区域(4.1,4.2);所述第一金属敷设体(4)的第一金属敷设区域(4.2)上的至少一个产生损耗热量的电气的或电子的部件(7);其中所述第一金属敷设区域(4.2)在与所述部件(7)至少热连接的子区域(4.2.1)上具有的层厚度(D)大于所述第一金属敷设区域(4.2)在所述第一子区域(4.2.1)之外的层厚度(d);其特征在于,所述层厚度(D,d)之差(b)至少等于或者大于所述第一金属敷设区域(4.2)在所述第一子区域(4.2.1)之外的层厚度(d)的一半,并且所述部件(7)相对于所述第一子区域(4.2.1)的边沿的具有(a1)大于等于所述层厚度(D,d)之差(b)。 | ||
地址 | 德国埃申巴赫 |