| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。根据本发明构思的半导体器件可以包括衬底，该衬底具有带有电路图案的上表面、与所述上表面相对的下表面和穿过所述衬底的穿透电极。所述穿透电极可以包括从所述下表面突出的突出部分。所述衬底可以包括支撑部分，该支撑部分从所述下表面朝向所述突出部分延伸以围绕所述突出部分的周向侧面。 | ||
| 申请公布号 | CN102479808A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201110380604.X | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 皮在贤;李宜珩;崔朱逸;金晶焕 |
| 分类号 | H01L29/41(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/41(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 姜盛花;陈源 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，具有上表面和与所述上表面相对的下表面；以及穿透电极，其穿过所述衬底，其中，所述穿透电极包括从所述下表面突出的突出部分，并且所述衬底包括从所述下表面朝向所述突出部分延伸以围绕所述突出部分的周向侧面的支撑部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||