| 发明名称 | 用于硅表面蚀刻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于硅表面蚀刻的方法，包括下列步骤：提供50℃至95℃温度的包含至少一种水胶体的含水碱性水胶体蚀刻液，将所述硅表面与所述水胶体蚀刻液接触一段指定的时间，以及从所述硅表面去除所述水胶体蚀刻液。 | ||
| 申请公布号 | CN102484060A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080035664.1 | 申请日期 | 2010.06.02 |
| 申请人 | 瑞纳有限责任公司 | 发明人 | 阿梅德·A·埃尔乔哈里;于尔根·施韦肯迪克 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;C09K13/02(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明;杨文娟 |
| 主权项 | 用于硅表面蚀刻的方法，包括下列步骤：提供50℃至95℃温度的包含至少一种水胶体的含水碱性水胶体蚀刻液，将所述硅表面与所述水胶体蚀刻液接触一段指定的时间，以及从所述硅表面去除所述水胶体蚀刻液。 | ||
| 地址 | 德国居滕巴赫 | ||