发明名称 |
半导体存储器件和包括它的半导体存储系统 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体存储器件,包括:内部时钟信号发生单元,被配置为响应于外部时钟信号产生内部时钟信号;内部数据选通信号发生单元,被配置为响应于外部数据选通信号产生内部数据选通信号;相位比较单元,被配置为将响应于内部虚拟写入命令而被使能的写入路径中所使用的内部时钟信号与内部数据选通信号的相位彼此相比较;以及输出单元,被配置为输出相位比较单元的输出信号。 |
申请公布号 |
CN102479544A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201110000930.3 |
申请日期 |
2011.01.05 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
玉成华 |
分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;张文 |
主权项 |
一种半导体存储器件,包括:内部时钟信号发生单元,所述内部时钟信号发生单元被配置为响应于外部时钟信号来产生内部时钟信号;内部数据选通信号发生单元,所述内部数据选通信号发生单元被配置为响应于外部数据选通信号来产生内部数据选通信号;相位比较单元,所述相位比较单元被配置为将在响应于内部虚拟写入命令而被使能的写入路径中所使用的所述内部数据选通信号和所述内部时钟信号的相位彼此进行比较;以及输出单元,所述输出单元被配置为将所述相位比较单元的输出信号输出。 |
地址 |
韩国京畿道 |