带有局部冷却装置的多晶硅热场

摘要

本实用新型涉及一种带有局部冷却装置的多晶硅热场，包括由上炉体和下炉体组成的炉腔，所述的炉腔内设置有一个保温腔，所述的保温腔底板上设置有冷却器，所述的冷却器呈回字型往复结构布置，冷却器的底部连通有导管，所述的导管穿过保温腔底板延升至炉腔外部。采用本实用新型可以增加多晶硅助凝块底部温度分布的均匀性，在利用籽晶诱导法生长铸锭单晶时，在化料后期强化边缘冷却效果，保护籽晶不被完全融化；在化料过程中可以提高热场温度，加快籽晶以上部分硅料的熔化速度，缩短生长周期；能够减少晶体内由于温度梯度差引起的位错等晶体缺陷密度，提高晶体质量；在结晶初期，提高径向温度梯度，促进晶粒横向生长，增大多晶硅柱状晶晶粒的直径。

主权项

一种带有局部冷却装置的多晶硅热场，包括由上炉体和下炉体组成的炉腔，所述的炉腔内设置有一个保温腔，其特征在于：所述的保温腔底板上设置有冷却器，所述的冷却器呈回字型往复结构布置，冷却器的底部连通有导管，所述的导管穿过保温腔底板延升至炉腔外部。