发明名称 |
CMOS器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种CMOS器件及其制作方法,所述CMOS器件包括NMOS晶体管以及PMOS晶体管,且栅极两侧形成有应力侧壁;所述NMOS晶体管的应力侧壁具有拉伸应力,PMOS晶体管的应力侧壁具有压缩应力。上述CMOS器件在制作时,采用应变记忆技术将应力记忆于NMOS晶体管沟道区域,同时在NMOS晶体管以及PMOS晶体管的栅极上形成应力侧壁,提供了良好的应力效果,且简化了器件结构。 |
申请公布号 |
CN102479755A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201010567602.7 |
申请日期 |
2010.11.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
孙武;张海洋;鲍宇;李若园 |
分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种CMOS器件的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体结构,所述半导体结构包括NMOS晶体管以及PMOS晶体管;在所述半导体结构表面依次形成第一介质层以及第一应力层;去除所述第一应力层位于PMOS晶体管区域的部分;对上述形成的半导体结构进行尖峰退火;刻蚀所述第一应力层,在NMOS晶体管的栅极两侧形成第一应力侧壁;在上述形成的半导体结构表面依次形成第二介质层以及第二应力层;去除所述第二应力层位于NMOS晶体管区域的部分;刻蚀所述第二应力层,在PMOS晶体管的栅极两侧形成第二应力侧壁。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |