一种监控密闭腔室温度的方法

摘要

本发明针对现有密闭腔室温度监控方法中存在的操作不便捷和不能实时监控的缺点，提供了一种监控密闭腔室温度的方法，能够便捷实时地监控密闭腔室的温度。一种监控密闭腔室温度的方法，该方法包括：对经过离子注入的硅片的损伤值进行测量；将所述硅片放入密闭腔室中进行快速热回火处理；从所述密闭腔室中取出快速热回火处理后的硅片；对快速热回火处理后的硅片的损伤值进行测量；根据快速热回火处理前后所述硅片的损伤值的变化率以及损伤值的变化率与温度的对应关系，确定所述密闭腔室的温度。

主权项

一种监控密闭腔室温度的方法，该方法包括：对经过离子注入的硅片的损伤值TW1进行测量；将所述硅片放入密闭腔室中进行快速热回火处理；从所述密闭腔室中取出快速热回火处理后的硅片；对快速热回火处理后的硅片的损伤值TW2进行测量；根据快速热回火处理前后所述硅片的损伤值的变化率以及损伤值的变化率与温度的对应关系，确定所述密闭腔室的温度。