| 发明名称 | 一种(In，Mn)As纳米线及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种(In，Mn)As纳米线及其制备方法，纳米线沿<img file="dsa00000365432500011.GIF" wi="228" he="58" />晶向排列，其外延生长于GaAs(001)单晶衬底上，横躺与GaAs(001)单晶表面。In<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>As(0.3≤x≤0.5)为外延生长且横躺于GaAs(001)单晶表面的纳米线，保持GaAs(001)单晶的闪锌矿结构，自发沿<img file="dsa00000365432500012.GIF" wi="223" he="57" />晶向排列，因而具有沿着<img file="dsa00000365432500013.GIF" wi="223" he="58" />方向的磁各向异性；所发明的(In，Mn)As纳米线制备方法，利用分子束外延技术与设备，以GaAs(001)单晶为衬底，提高Mn在In、Mn元素中的原子百分含量至30-50％，并采用间隙式生长方式，得到了外延且横躺于GaAs(001)单晶表面、具有单轴各向异性的(In，Mn)As纳米线。 | ||
| 申请公布号 | CN102477582A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010565058.2 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 无锡南理工科技发展有限公司 | 发明人 | 徐锋;陈光;杜宇雷;李永胜 |
| 分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人 | 唐代盛 |
| 主权项 | 1.一种(In，Mn)As纳米线，其特征在于纳米线沿<img file="FSA00000365432700011.GIF" wi="228" he="57" />晶向排列，其外延生长于GaAs(001)单晶衬底上，横躺与GaAs(001)单晶表面。 | ||
| 地址 | 214192 江苏省无锡市锡山经济开发区科创园 | ||