| 发明名称 | 一种垂直型NROM存储结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直型NROM存储结构及其制备方法。该垂直型NROM存储结构包括：硅衬底；位于硅衬底表面的浅槽隔离区；位于硅衬底表面，被浅槽隔离区包围的漏极；位于漏极上方的竖直沟道；位于竖直沟道上端，被隔离介质包围的漏极区域；形成于竖直沟道表面的存储功能层堆栈结构；在沟道表面分隔存储功能层堆栈结构的隔离介质层；以及栅电极。本发明提供的垂直型NROM存储结构可以在一个存储单元中实现4-bit以上数据存储，由于引入了隔离介质来抑制相邻存储位之间的串扰，所以相比于平面结构的NROM器件，该结构可以满足进一步的变比要求。该存储器件有效利用了竖直方向的空间，极大的提高了集成密度。 | ||
| 申请公布号 | CN102479823A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010573812.7 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 霍宗亮;刘明;刘璟;张满红 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种垂直型NROM存储结构，其特征在于，包括：硅衬底；位于硅衬底表面的浅槽隔离区；位于硅衬底表面，被浅槽隔离区包围的漏极；位于漏极上方的竖直沟道；位于竖直沟道上端，被隔离介质包围的漏极区域；形成于竖直沟道表面的存储功能层堆栈结构；在沟道表面分隔存储功能层堆栈结构的隔离介质层；以及栅电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||