| 发明名称 | 溅射靶用铜材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，进行溅射的面中的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的各自的X射线衍射的峰强度即I{111}、I{200}、I{220}和I{311}满足下式(1)，且晶粒的粒径为100～200μm。I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≥0.4 …(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN102482767A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080038093.7 | 申请日期 | 2010.08.26 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 高桥功;广濑清慈;仓桥和夫;中嶋章文;周伟铭 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;褚瑶杨 |
| 主权项 | 一种溅射靶用铜材料，其特征在于，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，进行溅射的面中的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的各自的X射线衍射的峰强度即I{111}、I{200}、I{220}和I{311}满足下式(1)，且晶粒的粒径为100～200μm，I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≥0.4 …(1) | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||