在异质界面处具有错配位错的部分或完全驰豫合金上的基于半极性氮化物的装置

摘要

本发明涉及一种通过在空间上限制异质界面周围的错配位错制作的具有驰豫晶格常数的无位错高质量模板。此可用作高In成份装置的模板层。具体来说，本发明制备高质量InGaN模板(In成份约为5％到10％)，且可在这些模板上生长In成份比原本将可能的情况高得多的InGaN量子阱QW(或多量子阱MQW)。

主权项

一种外延结构，其包括：第一层，其为具有部分或完全驰豫的晶格常数的半极性氮化物(AlInGaN)层，所述第一层沉积在第二层上，其中在所述第一层与所述第二层之间的异质界面处存在一个或一个以上位错。