| 发明名称 | 半色调掩膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半色调掩膜的制造方法，所述半色调掩膜被配置为利用单一半透过材料而具有多个半透过单元，其中半色调掩膜的制造方法包括：在衬底上形成半透过材料；以及形成半透过区，所述半透过区用通过等离子体表面处理所述半透过材料和调节所述半透过材料的透射率而形成的具有与所述半透过材料的光透射率不同的透射率的至少一种半透过材料形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102483568A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080037805.3 | 申请日期 | 2010.06.25 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 金武成 |
| 分类号 | G03F1/32(2012.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/32(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 许向彤;林锦辉 |
| 主权项 | 一种半色调掩膜的制造方法，包括：在衬底上形成半透过材料；以及形成半透过区，所述半透过区用通过等离子体表面处理所述半透过材料和调节所述半透过材料的透射率而形成的具有与所述半透过材料的光透射率不同的透射率的至少一种半透过材料形成。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||