| 发明名称 | 半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法以及半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供将单晶硅用作基底基板的品质和特性优异的氮化物外延基板。在(111)单晶硅基板上，以(0001)结晶面大致平行于基板面的方式形成III族氮化物层群而成的外延基板具有：形成于基底基板上且由AlN构成的第一III族氮化物层；形成于第二III族氮化物层上且由InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz＝1、0≤xx≤1、0＜yy≤1、0＜zz≤1)构成的第二III族氮化物层；以及在第二III族氮化物层上外延形成的至少一个第三III族氮化物层，而且，第一III族氮化物层为由柱状结晶、粒状结晶或晶畴中的至少一种构成的含多缺陷的层，第一III族氮化物层与第二III族氮化物层之间的界面为三维凹凸面。 | ||
| 申请公布号 | CN102484049A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080035067.9 | 申请日期 | 2010.06.30 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 角谷茂明;三好実人;杉山智彦;市村干也;仓冈义孝;田中光浩 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 钟守期;苏萌 |
| 主权项 | 一种半导体元件用外延基板，其是在作为(111)结晶方向单晶硅的基底基板上，以(0001)结晶面大致平行于所述基底基板的基板面的方式形成III族氮化物层群而成的半导体元件用外延基板，其特征在于，具有：形成于所述基底基板上且由AlN构成的第一III族氮化物层；形成于所述第一III族氮化物层上且由InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz＝1、0≤xx＜1、0≤yy＜1、0＜zz≤1)构成的第二III族氮化物层；以及在所述第二III族氮化物层上外延形成的至少一个第三III族氮化物层，而且，所述第一III族氮化物层是由柱状结晶、粒状结晶或晶畴中的至少一种构成的含多晶体缺陷的层，并且所述第一III族氮化物层与所述第二III族氮化物层之间的界面为三维凹凸面。 | ||
| 地址 | 日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2-56 | ||