| 发明名称 | PMOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底中形成有隔离结构，所述隔离结构之间的硅衬底上形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的硅衬底进行刻蚀，在所述栅极结构两侧形成凹槽，暴露出所述隔离结构的侧壁；使用含卤族元素的气体对所述凹槽暴露的硅衬底和隔离结构进行钝化处理；在所述凹槽中填满锗硅材料。本发明可以避免滚边问题，有利于减小结漏电流，改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102479711A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010560217.X | 申请日期 | 2010.11.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 卢炯平;何有丰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底中形成有隔离结构，所述隔离结构之间的硅衬底上形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的硅衬底进行刻蚀，在所述栅极结构两侧形成凹槽，暴露出所述隔离结构的侧壁；使用含卤族元素的气体对所述凹槽暴露的硅衬底和隔离结构进行钝化处理；在所述凹槽中填满锗硅材料。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||