发明名称 |
具有提高的信噪比的低聚物探针阵列及其制造方法 |
摘要 |
一种具有提高的信噪比的低聚物探针阵列,包括衬底,在衬底上或在衬底中形成的多个探针单元有源区,该多个探针单元有源区的每一个具有基本上平坦的表面并以自己的序列与至少一个低聚物探针耦合,以及限定探针单元有源区并且没有用于与表面上的低聚物探针耦合的官能团的探针单元隔离区。 |
申请公布号 |
CN101067605B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN200710100990.6 |
申请日期 |
2007.05.08 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
夏政焕;池圣敏;金京善;金嫒善 |
分类号 |
G01N21/64(2006.01)I;G01N33/52(2006.01)I;C12Q1/68(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/64(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
黄启行;陆锦华 |
主权项 |
一种低聚物探针阵列,包括:衬底;在衬底上或在衬底中形成的多个探针单元有源区,该多个探针单元有源区的每一个具有基本上平坦的表面;具有自己的序列的至少一个低聚物探针,该至少一个低聚物探针与所述多个探针单元有源区的每一个的基本上平坦的表面耦合;限定探针单元有源区并且没有用于与表面上的低聚物探针耦合的官能团的探针单元隔离区;以及填充到探针单元有源区之间限定区的填料,其中,所述探针单元有源区被所述探针单元隔离区物理地分离,并且所述多个探针单元有源区包括能够与所述低聚物探针耦合的官能团,其中,所述多个探针单元有源区是在衬底上形成的层的图形,所述衬底包括通过衬底的局部氧化形成的LOCOS氧化层,或填充衬底中的沟槽的沟槽型有源区。 |
地址 |
韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 |