一种硅晶片激光改性设备系统

摘要

本实用新型公开了一种硅晶片激光改性设备系统，属于激光设备技术领域。由三个子系统构成：第一个子系统由激光器与控制激光器的计算机连接和光路转换系统构成独立的激光打击系统；第二个子系统真空室系统由真空室、垫板、真空泵及介质气体瓶构成；第三个子系统移动平台系统由移动平台、移动平台控制器、计算机构成；真空室分别与真空泵和介质气瓶连通，真空室放在移动平台上，真空室内放有垫板，移动平台与移动平台控制器相连接，移动平台控制器与操纵移动平台控制器的计算机连接。本实用新型可以可靠、快捷地对硅晶片进行激光改性(定点打击或移动打击)，所获得的改性晶片之光电转换效率有明显提高。

主权项

一种硅晶片激光改性设备系统，其特征在于，由三个子系统构成：第一个子系统由激光器(2)与控制激光器的计算机(3)连接和光路转换系统(1)构成独立的激光打击系统；第二个子系统真空室系统由真空室(5)、垫板(7)、真空泵(11)及介质气体瓶(12)构成；第三个子系统移动平台系统由移动平台(8)、移动平台控制器(9)、操纵移动平台控制器的计算机(10)构成；真空室(5)分别与真空泵(11)和介质气瓶(12)连通，真空室(5)放在移动平台(8)上，真空室(5)内放有垫板(7)，移动平台(8)与移动平台控制器(9)相连接，移动平台控制器(9)与计算机(10)连接。