发明名称 |
等离子体增强化学气相沉积设备 |
摘要 |
本实用新型公开一种等离子体增强化学气相沉积设备,为解决现有设备沉积薄膜的厚度均匀性不好的问题而设计。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备包括腔体、承载被沉积基板的下电极、包括气体扩散器的上电极、丝网、气流加速单元和抽气单元,所述腔体内设有丝网,所述丝网位于所述气体扩散器的近下电极侧。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备提高了气体浓度均匀性,且减少了粘滞流效应和热对流对气体均匀性的影响。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备在成膜反应过程中同时增加了反应气体流速和抽气速率,从而保证腔体内总的气体压力不变。因此没有降低沉积速率,即提高质量的同时保证了产能不受影响。 |
申请公布号 |
CN202246858U |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201120376596.7 |
申请日期 |
2011.09.27 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
张金中 |
分类号 |
C23C16/50(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种等离子体增强化学气相沉积设备,包括:腔体,所述腔体内设有承载被淀积基板的下电极和包括气体扩散器的上电极,其特征在于:所述腔体内设有丝网,所述丝网位于所述气体扩散器的近下电极侧。 |
地址 |
100176 北京市北京市经济技术开发区西环中路8号 |