平面结构型超高压二极管芯片

摘要

平面结构型超高压二极管芯片。涉及平面结构超高压二极管芯片。耐温性能高，正反向浪涌能力有较大提升。本体呈薄片状，本体上部设有主结和顶面电极，本体下部设有衬底和底面电极，在主结外圈还设有至少两圈场限环；在最外圈场限环外部还设有一圈截止环；至少两圈场限环的顶面高度与主结顶面高度一致，至少两圈场限环的深度与主结的深度一致；截止环的顶面高度与主结的顶面高度一致。本实用新型在芯片本体顶部最外圈设置截止环后，能够有效防止电荷扩展到顶部边角，避免发生短路。本实用新型既实现了产品的增压，又能避免电场扩展。大大提升产品高温性能，达到Tj=175℃不失效，正反向浪涌能力有较大提升。通常被封装在三相、单项整流桥和各种混合模型中。

主权项

平面结构型超高压二极管芯片，所述芯片本体呈薄片状，芯片本体上部设有主结和顶面电极，芯片本体下部设有衬底和底面电极，其特征在于，在所述主结外圈还设有至少两圈场限环；在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环；所述至少两圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致，所述至少两圈场限环的深度与所述主结的深度一致；所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致。