| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件制造方法包括：提供基底；在所述基底内形成阱区；采用快速热氧化工艺在所述具有阱区的基底上形成用于修复基底的氧化层；去除所述氧化层。所述半导体器件包括：基底；位于基底内的阱区；位于基底上的栅氧化层，所述栅氧化层形成在通过氧化层修复后的基底上。本发明所提供的半导体器件制造方法，采用快速热氧化工艺代替传统的快速热退火工艺，可使得受损的基底得到修复，进而可提高后续生长的栅氧化层的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102479677A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010564110.2 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 杜建;李佳佳;方浩 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底内形成阱区；采用快速热氧化工艺在所述具有阱区的基底上形成用于修复基底的氧化层；去除所述氧化层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||