| 发明名称 | 应变记忆作用的半导体器件的制造方法及应力层结构 | ||
| 摘要 | 一种应变记忆作用的半导体器件的制造方法及应力层结构，包括：在衬底上形成NMOS管；形成覆盖于所述NMOS管上的、向NMOS管提供拉伸应力的第一应力层；形成覆盖于所述第一应力层上的、杨氏模量大于第一应力层的第二应力层；对所NMOS管的有源区进行退火处理；去除所述第一应力层和第二应力层；本发明提供的应力层结构中，所述应力层结构覆盖于NMOS管上，所述应力层结构包括第一应力层、位于第一应力层上的第二应力层，所述第一应力层对NMOS管提供拉伸应力，所述第二应力层的杨氏模量大于第一应力层的杨氏模量。本发明可以避免NMOS管栅极的过度膨胀。 | ||
| 申请公布号 | CN102479719A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010567123.5 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 鲍宇;张彬 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种应变记忆作用的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成NMOS管；形成覆盖于所述NMOS管上的、向NMOS管提供拉伸应力的第一应力层；形成覆盖于所述第一应力层上的、杨氏模量大于第一应力层的第二应力层；对所NMOS管的有源区进行退火处理；去除所述第一应力层和第二应力层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||