| 发明名称 | 太赫兹频率范围天线 | ||
| 摘要 | 提供了一种太赫兹频率范围天线，包括：半导体膜(3)，其具有适于在太赫兹频率范围内显示表面等离子体的表面。半导体膜(3)的表面被构造为天线结构(4)，该天线结构(4)被设置为支持太赫兹频率范围内的局部表面等离子体共振。 | ||
| 申请公布号 | CN102483350A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080024703.8 | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J·戈梅斯里瓦斯;V·贾尼尼;A·A-M·贝里耶;S·A·迈尔;M·马特斯-卡梅雷尔;L·特里波迪 |
| 分类号 | G01J3/02(2006.01)I;G01J3/42(2006.01)I;G01N21/35(2006.01)I | 主分类号 | G01J3/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 周红力;刘鹏 |
| 主权项 | 太赫兹频率范围天线，包括：具有适于在太赫兹频率范围内显示表面等离子体的表面的半导体膜(3)，其中半导体膜(3)的表面被构造为形成天线结构(4)，该天线结构(4)被设置为支持太赫兹频率范围内的局部表面等离子体共振。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||