| 发明名称 | 补偿带隙 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种带隙电路，其包括：一阶补偿带隙单元，其产生第一输出电压；及二阶补偿电路，其将第二输出电压添加至所述第一输出电压且包括与第一电阻器并联耦合的第一金属氧化物半导体MOS晶体管，其中所述第一MOS晶体管被以与绝对温度成反比PTAT电压偏置。 | ||
| 申请公布号 | CN102483637A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080038845.X | 申请日期 | 2010.08.09 |
| 申请人 | 密克罗奇普技术公司 | 发明人 | 菲利普·德瓦尔;扬·约纳;费比恩·沃彻 |
| 分类号 | G05F3/30(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种带隙电路，其包括：一阶补偿带隙单元，其产生第一输出电压；及二阶补偿电路，其将第二输出电压添加至所述第一输出电压，且包括与第一电阻器并联耦合的第一金属氧化物半导体MOS晶体管，其中所述第一MOS晶体管被以与绝对温度成反比PTAT电压偏置。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||