| 发明名称 | 在CMOS技术中形成自对准双重硅化物的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法，其中该方法包括如下步骤：在半导体衬底(102)中形成用于容纳第一类型半导体器件(130)的第一阱区(103)；在半导体衬底(102)中形成用于容纳第二类型半导体器件(140)的第二阱区(104)；用掩模(114)屏蔽第一类型半导体器件(130)；在第二类型半导体器件(140)上淀积第一金属层(118)；在第二类型半导体器件(140)上形成第一自对准硅化物；去除掩模(114)；在第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第二金属层(123)；和在第一类型半导体器件(130)上形成第二自对准硅化物。该方法只需要一个图案层次，并消除了图案重叠，这还简化了在不同器件上形成不同硅化物材料的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101069281B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200580041392.5 | 申请日期 | 2005.12.01 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 小希里尔·卡布莱尔;切斯特·T.·齐奥波科夫斯基;约汉·J.·爱丽斯-莫纳甘;方隼飞;克里斯蒂安·拉沃伊;骆志炯;詹姆斯·S.·纳考斯;安·L.·斯廷根;克莱门特·H.·万 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/4763(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 一种制造互补金属氧化物半导体CMOS器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底(102)中形成用于容纳第一类型半导体器件(130)的第一阱区(103)；在所述半导体衬底(102)中形成用于容纳第二类型半导体器件(140)的第二阱区(104)；用掩模(114)屏蔽所述第一类型半导体器件(130)；在所述第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第一金属层(118)；在所述第二类型半导体器件(140)上形成第一自对准硅化物；去除所述掩模(114)；在第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第二金属层(123)；和在所述第一类型半导体器件(130)上形成第二自对准硅化物。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||