| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。 | ||
| 申请公布号 | CN1542929B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200410035166.3 | 申请日期 | 1994.03.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;高山彻;竹村保彦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶半导体膜；使所述非晶半导体膜结晶以便形成晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷、氧和三氯乙烯形成氧化硅膜作为栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；在形成所述栅电极之后，通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区；将浓度在1×1017cm‑3到1×1020cm‑3之间的催化材料引入杂质区；以及退火以便激活杂质元素。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||