发明名称 |
显示器件、用于制造显示器件的方法、以及SOI衬底 |
摘要 |
本发明提供了一种制造方法,其实现具有大面积的SOI衬底并能够改善使用该SOI衬底来制造显示器件的生产率。将多个单晶半导体层键合到具有绝缘表面的衬底,并使用该单晶半导体层形成包括晶体管的电路,以便制造显示器件。将从单晶半导体层分离的单晶半导体层应用于所述多个单晶半导体层。所述单晶半导体层中的每一个具有对应于一个显示面板的尺寸(面板尺寸)。 |
申请公布号 |
CN101657882B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN200880011901.3 |
申请日期 |
2008.03.14 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
一种用于制造显示器件的方法,包括以下步骤:向第一衬底中注入离子以形成第一单晶半导体层;将所述第一单晶半导体层切割成多个单晶半导体层,每个单晶半导体层具有包括一个面板的面积;将所述多个单晶半导体层键合到第二衬底,在它们之间插入第一绝缘层;使选自所述多个单晶半导体层中的第二和第三单晶半导体层一次暴露,第二和第三单晶半导体层的每个具有包括一个面板的面积;通过使用所述第二单晶半导体层而在所述第二衬底之上形成第一显示部分;以及通过使用所述第三单晶半导体层而在所述第二衬底之上形成第二显示部分。 |
地址 |
日本神奈川 |