| 发明名称 | 低基面位错块体生长的SiC晶片 | ||
| 摘要 | 公开了一种高质量SiC单晶晶片。该晶片具有至少约3英寸(75mm)的直径和至少一连续平方英寸(6.25cm2)的表面积，就4度离轴晶片而言该表面积具有小于约500cm-2的基面位错体积密度。 | ||
| 申请公布号 | CN101194052B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200680020294.8 | 申请日期 | 2006.04.05 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | A·泊韦尔;M·布莱迪;V·F·斯维特科夫 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 一种高质量SiC单晶晶片，该晶片具有至少约3英寸的直径和至少一连续平方英寸的表面积，该表面积具有小于约500cm‑2的基面位错密度。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||