| 发明名称 | 一种静电保护电路、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种静电保护电路、阵列基板和显示装置，其中，至少包括第一晶体管和第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极分别与所述第二晶体管的栅极导通；所述第二晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极分别与所述第三晶体管的栅极导通；所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极导通；所述第四晶体管的栅极与所述第三晶体管的源极导通。本实用新型提供的静电保护电路实施例中，当静电保护电路中的一个或二个晶体管发生静电击穿后，另外三个晶体管或另外二个晶体管仍能正常工作，从而确保静电保护电路对半导体集成电路的静电保护作用，以提高阵列基板的质量和可靠性，延长阵列基板的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN202259302U | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201120417437.7 | 申请日期 | 2011.10.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 王盛 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 罗建民;邓伯英 |
| 主权项 | 一种静电保护电路，其特征在于，至少包括第一晶体管和第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极分别与所述第二晶体管的栅极导通；所述第二晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极分别与所述第三晶体管的栅极导通；所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极导通；所述第四晶体管的栅极与所述第三晶体管的源极导通。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||