| 发明名称 | 发光元件及发光元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一实施方式的发光元件具备：按顺序层叠有第一半导体层(2a)、发光层(2b)及第二半导体层(2c)的光半导体层(2)；与第一半导体层(2a)电连接的第一电极层(3)；与第二半导体层(2c)电连接的第二电极层(7)。另外，第二电极层(7)具有位于第二半导体层(2c)上的导电反射层(4)及位于导电反射层(4)上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔(6)的导电层(5)。本发明的发光元件的制造方法具有：准备光半导体层(2)和按顺序层叠有第一金属层(21)及熔点比第一金属层(21)的氧化物高的第二金属层(22)的层叠体(30)的工序；在第二金属层(22)上形成贯通厚度方向的多个贯通孔(6)的工序。而且，本发明的发光元件的制造方法还具备：之后在比第一金属层(21)的氧化物的熔点高且比第一金属层(21)的熔点及第二金属层(22)的熔点的任何一方都低的温度下对层叠体(30)进行加热，将光半导体层(2)与第一金属层(21)的界面区域氧化的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102484176A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201080040200.X | 申请日期 | 2010.09.29 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 正木克明;川口义之;西园和博 |
| 分类号 | H01L33/10(2006.01)I;H01L33/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种发光元件，具备：光半导体层，其按顺序层叠有第一半导体层、发光层及第二半导体层；第一电极层，其与所述第一半导体层电连接；第二电极层，其与所述第二半导体层电连接，具有位于所述第二半导体层上的导电反射层及位于该导电反射层上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔的导电层。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||