发明名称 |
III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
公开了一种III族氮化物晶体衬底(1),其特征在于,晶体衬底的表面层具有1.9×10-3或更低的均匀畸变,该均匀畸变是由X射线透入深度为0.3μm时的面间距d1和X射线透入深度为5μm时的面间距d2得到的|d1-d2|/d2的值表示的,该面间距是由改变自晶体衬底的主表面(1s)的X射线透入深度同时满足III族氮化物晶体衬底的任意特定平行晶格面的X射线衍射条件的X射线衍射测量得到的特定平行晶格面的面间距;并且主表面(1s)的面取向在<10-10>方向上从晶体衬底的(0001)和(000-1)面(1c)在10°至80°的范围内倾斜。这能够提供适合于制造防止光蓝移的发光器件的III族氮化物晶体衬底、具有外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法。 |
申请公布号 |
CN102484181A |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201080039771.1 |
申请日期 |
2010.01.28 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
石桥惠二;善积祐介 |
分类号 |
H01L33/16(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/16(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李兰;孙志湧 |
主权项 |
一种III族氮化物晶体衬底,其中,由X射线衍射测量得到所述晶体衬底的任意特定平行晶格面(1d)的面间距,其中所述X射线衍射测量是在满足所述晶体衬底的所述特定平行晶格面(1d)的X射线衍射条件的同时通过改变自所述晶体衬底的主表面(1s)的X射线透入深度进行的,通过由所述X射线透入深度为0.3μm处的面间距d1和所述X射线透入深度为5μm处的面间距d2得到的|d1‑d2|/d2的值表示的、所述晶体衬底的表面层(1p)处的均匀畸变等于或低于1.9×10‑3,并且其中所述主表面(1s)的面取向相对于所述晶体衬底的(0001)和(000‑1)面中的一个面(1c)在<10‑10>方向上倾斜等于或大于10°且等于或小于80°的角度。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |