发明名称 |
电写磁性存储器件及其装置、信息记录再现及制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种电写磁性存储器件,包括:底电极层;铁电氧化物层,所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上;磁性记录层,所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上;保护层,所述保护层设置在所述磁性记录层上,其中通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场,且所述磁性记录层的磁矫顽场Hc具有对应于所述写入电场信息的不同磁矫顽场值。本发明还提供一种存储装置、一种信息记录再现方法以及一种电写磁性存储器件的制造方法。采用本发明所述的设备和方法,能够利用电场信号直接作用于存储器件上进行信息写入,降低能耗,同时利用不易受外界干扰的磁性记录层磁矫顽场Hc大小进行信息记录,提高了数据存储的安全性。 |
申请公布号 |
CN101814294B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201010033876.8 |
申请日期 |
2010.01.11 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
李峥;南策文;王婧;林元华 |
分类号 |
G11B5/62(2006.01)I;G11B5/012(2006.01)I;G11B5/84(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/62(2006.01)I |
代理机构 |
北京市立方律师事务所 11330 |
代理人 |
张磊 |
主权项 |
一种电写磁性存储器件,包括:底电极层;铁电氧化物层,所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上;磁性记录层,所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上,用于进行磁性记录;保护层,所述保护层设置在所述磁性记录层上,以保护所述磁性记录层,其中通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场,且所述磁性记录层的磁矫顽场Hc具有对应于写入电场信息的不同磁矫顽场值;其中铁电氧化物层厚度tFE与所述磁性记录层厚度tFM的关系满足:tFM/tFE<0.01。 |
地址 |
100084 北京市100084-82信箱 |