发明名称 |
一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法 |
摘要 |
本发明公开了一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法,为坩埚下降法,其特征在于:所述坩埚为长方体状异形坩埚,包括上部的埚体和下部的籽晶槽,所述籽晶槽与所述埚体由平滑过渡的弧面相连接,且籽晶槽与埚体均呈长方体状,长方体埚体相邻侧面为平滑过渡的倒角圆弧;所述籽晶槽的宽度小于埚体的宽度,籽晶槽的长度与埚体的长度相等。本发明通过采用特制形状的异形坩埚,利用熔体下降法技术,制得了大尺寸、高质量的能满足LED衬底用的c面蓝宝石晶体,且成品率高;提高了蓝宝石材料的利用率,有效的降低了成本;并且该生长技术过程操作简单,易于控制和自动化生产。 |
申请公布号 |
CN102127803B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN201110054585.1 |
申请日期 |
2011.03.08 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
李红军;胡克艳;徐军;郭鑫;苏良碧;陈伟超;钱小波;唐慧丽 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
何葆芳 |
主权项 |
1.一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法,为坩埚下降法,其特征在于,具体包括以下步骤:a)将籽晶按照籽晶槽尺寸加工成棒状;b)确保棒状籽晶的轴向为C轴(0001)方向,籽晶定向<img file="FDA0000132802330000011.GIF" wi="170" he="48" />放入籽晶槽内;c)将原料预处理后放入坩埚,然后将坩埚置于下降炉坩埚架上,抽真空至10<sup>-3</sup>~10<sup>-4</sup>Pa,升温至1500~1800℃;d)在惰性气氛下至压力为正压10~20kpa,继续升温至设定温度2080℃~2150℃;e)炉温达到设定温度后恒温3~5小时,待原料全部熔化及籽晶与熔体接种后,启动坩埚下降,下降速率为0.1~2.0mm/h,晶体生长区的固液界面的温度梯度设定为10~50℃/cm;(f)晶体生长结束后以30~60℃/h的速率将炉温降至室温,原位退火处理;其中所述的坩埚为长方体状异形,即,包括上部的埚体和下部的籽晶槽,所述籽晶槽与所述埚体由平滑过渡的弧面相连接,且籽晶槽与埚体均呈长方体状,长方体埚体相邻侧面为平滑过渡的倒角圆弧;所述籽晶槽的宽度小于埚体的宽度,籽晶槽的长度与埚体的长度相等。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |