发明名称 |
基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于一维纳米结构的荧光化学逻辑开关领域,特别涉及基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法。本发明的方法是将由气相沉积法制备得到的硅纳米线进行表面处理,其表面处理是表面等离子体处理、激光照射、离子表面轰击或用化学方法进行表面活化;然后在对表面处理过的干燥的硅纳米线的表面进行修饰,在其表面共价修饰有逻辑开关功能的丹磺酰胺,得到基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关。本发明的基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关可用于制备体积更小、集成化程度更高的光化学逻辑器件。 |
申请公布号 |
CN101671020B |
申请公布日期 |
2012.05.30 |
申请号 |
CN200810239879.X |
申请日期 |
2008.12.22 |
申请人 |
中国科学院理化技术研究所 |
发明人 |
师文生;穆丽璇 |
分类号 |
G01N21/00(2006.01)I;G01N33/20(2006.01)I;C01B33/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C09K9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
李柏 |
主权项 |
一种基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关的制备方法,其特征是,该方法包括以下步骤:1)硅纳米线的表面处理:将硅纳米线在温度为90‑150℃的氧等离子体中处理1‑3小时;或用波长为325纳米的连续激光对硅纳米线照射0.5‑2小时;或用钙离子源轰击硅纳米线0.5‑2小时;或用化学方法进行表面活化,将硅纳米线放入浓硫酸和双氧水的混合液中,在温度为60‑90℃下煮10‑60分钟,冷至室温,用蒸馏水洗至中性,然后放入H2O∶H2O2∶NH3.H2O的体积比为3‑5∶0.2‑1∶1的混合液中1‑3小时,取出,用蒸馏水洗至中性,真空干燥;2)硅纳米线的表面修饰:在连有分水器的容器中加入20mg步骤1)得到的表面处理过的硅纳米线和40mL无水甲苯,惰性气体保护下,加热到140℃共沸蒸馏除去水分,蒸出30mL甲苯后,降温至60‑90℃并加入0.6mmol‑1.8mmol的N‑3‑三乙氧基硅丙基丹磺酰胺,在温度为60‑90℃下搅拌12‑48小时,降至室温,用过滤器过滤得到表面修饰的硅纳米线粗产品;粗产品在有机溶剂中进行超声清洗,过滤,除去未反应的N‑3‑三乙氧基硅丙基丹磺酰胺,真空干燥得到基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关;该逻辑开关以pH值、Hg(II)及Cl‑或Br‑为输入,以修饰的硅纳米线的荧光为输出,构成三输入荧光逻辑开关。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一条2号 |