发明名称 一种氧化钇基透明陶瓷的烧结方法
摘要 本发明属于陶瓷材料制备领域,具体涉及一种氧化钇基透明陶瓷的烧结方法。本发明的方法包括如下步骤:将混合粉体经冷等静压成型后升温至1200~1600℃之间,然后立即降温350~800℃,进行保温,最后将保温后的混合粉体真空烧结2~10小时。本发明的烧结方法利用纳米粉体特殊的烧结性能,首先在低温(熔点温度40%左右)处理,促使样品在致密化(达到约90%的理论密度)的同时,有效控制晶粒长大,进一步在真空环境中升温烧结得到微晶透明陶瓷。本发明的烧结方法可以有效控制烧结过程中的晶粒长大,有利于气孔排出,而且烧结样品无需退火处理即具有良好的透过性。本发明的烧结方法具有成本较低,易于操作的特点。
申请公布号 CN101698601B 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN200910198283.4 申请日期 2009.11.04
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 黄毅华;江东亮;张景贤;林庆玲;黄政仁
分类号 C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B35/505(2006.01)I 主分类号 C04B35/622(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 许亦琳;余明伟
主权项 一种氧化钇基透明陶瓷的烧结方法,包括如下步骤:1)将原料粉体按照各元素的比例进行配料并混合后制得混合粉体,然后将混合粉体通过冷等静压成型,所述原料粉体为氧化钇粉体及含有掺杂元素的金属氧化物粉体,所述含有掺杂元素的金属氧化物粉体选自氧化镧粉体、氧化钕粉体、氧化镱粉体、氧化铒粉体、氧化钬粉体和氧化锆粉体中的一种或多种,且所述原料粉体的粒径范围为30~500nm,所述冷等静压成型的压力为70~250MPa;2)将成型后的混合粉体升温至1200~1600℃之间,然后立即降温350~800℃,进行保温,所述升温速率为5~20℃/分钟,所述降温速率为10~60℃/分钟;所述保温时间为10~100小时;3)将保温后的混合粉体真空烧结2~10小时,所述真空烧结温度为1500℃~1850℃;其中,所述氧化钇基透明陶瓷的化学组成为Y(2‑x)MxO3,其中M选自Nd、Yb、Er、La、Ho或Zr中的一种或多种,且x的取值范围为0<x≤0.2。
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号