| 发明名称 | 包括可变电阻材料的非易失存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在缓冲层与下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在缓冲层上的具有可变电阻特性的可变电阻材料层；和形成在可变电阻材料层上的上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101101964B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200710091903.5 | 申请日期 | 2007.03.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李殷洪;赵重来;斯蒂法诺维奇·金瑞克 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，所述存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在所述缓冲层与所述下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在所述缓冲层上的可变电阻材料层，其具有可变电阻特性；以及上电极，形成在所述可变电阻材料层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||