制造复合材料晶片的方法

摘要

本发明涉及一种制造复合材料晶片的方法，具体地说是制造绝缘体上硅型的晶片的方法，所述方法包括以下步骤：提供初始施主衬底，在所述初始施主衬底上形成绝缘层，在所述初始施主衬底中形成预定分裂区，将所述初始施主衬底粘接到操作衬底上，以及在所述预定分裂区剥离所述施主衬底，由此将所述初始施主衬底的一层转移到所述操作衬底上，以形成复合材料晶片。为了能够更多次再使用施主衬底，本发明提出在低于950℃，具体地说是低于900℃，优选是在850℃或更低的温度下执行热处理步骤以形成绝缘层。

主权项

一种制造绝缘体上硅型晶片的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供初始施主衬底(1)，b)在所述初始施主衬底(1)上形成绝缘层(3)，c)在所述初始施主衬底(1)中形成预定分裂区，d)将所述初始施主衬底粘接到操作衬底(9)上，以及e)在所述预定分裂区(7)处剥离所述施主衬底(1)，由此将所述初始施主衬底(1)的一层(13)转移到所述操作衬底(9)上，以形成绝缘体上硅型晶片，其特征在于通过在低于900℃的温度下执行热处理而形成所述绝缘层(3)，其中逐制造轮次地提高形成所述绝缘层(3)的温度，并且这样来执行所述热处理，在使用所述初始施主衬底(1)及其随后的剩余部分(15)的各制造轮次中，使得所转移的一层的HF缺陷密度小于0.1个缺陷/cm2，以及其中所述方法反复进行至少三次，并且将所述初始施主衬底(1)的剩余部分(15)再次用作为后续制造轮次中的初始施主衬底(1)。