| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：在衬底上形成的多个沟槽图案；在沟槽图案侧壁上形成的栅极绝缘层；在沟槽图案上形成的栅电极；连接栅电极的线图案；和在邻近沟槽图案侧壁的衬底上部和下部中形成的源极区和漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN101552289B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200910000358.3 | 申请日期 | 2009.01.06 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金光玉;姜惠阑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在衬底上形成的多个孔型沟槽图案；在所述孔型沟槽图案的侧壁上形成的栅极绝缘层；填充所述孔型沟槽图案的栅电极，其中所述栅电极完全填充所述沟槽图案；连接所述栅电极的线图案；和在邻近所述孔型沟槽图案的所述侧壁的衬底上部和下部中形成的源极区和漏极区，其中在所述衬底的所述下部中形成的所述源极区和漏极区是掩埋位线，所述掩埋位线不形成在所述栅电极的下方。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||