| 发明名称 | 有机场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种有机场效应晶体管，其具备栅电极(2)、栅绝缘层(3)、半导体层(4)、源电极(7)及漏电极(8)，其中，源电极(7)及漏电极(8)分别包含导电层(6)及(6′)、以及包含受体化合物的化合物层(5)及(5′)，化合物层(5)及(5′)分别与半导体层(4)相邻配置，半导体层(4)含有电离电势为5.0eV以上的高分子化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101641793B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200880009342.2 | 申请日期 | 2008.03.06 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 中村善子;上田将人 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种有机场效应晶体管，其具备栅电极、栅绝缘层、半导体层、源电极及漏电极，其中，所述源电极及所述漏电极分别包含导电层及包含受体化合物的化合物层，所述化合物层分别与所述半导体层相邻设置，所述半导体层含有电离电势为5.0eV以上的高分子化合物。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||