| 发明名称 | 测量光刻工艺的关键尺寸摇摆曲线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测量光刻工艺中关键尺寸摇摆曲线的方法，包括：在晶圆上形成厚度渐变的光刻胶膜；测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸；根据测量的关键尺寸，得到关键尺寸摇摆曲线。从而仅使用一片晶圆测量得到光刻工艺的关键尺寸摇摆曲线，减少了光刻胶及晶圆的使用，缩短了工艺和测量时间，节省成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102023486B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200910195401.6 | 申请日期 | 2009.09.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 安辉 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种测量光刻工艺的关键尺寸摇摆曲线的方法，包括：在晶圆上形成厚度渐变的光刻胶膜；测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸；根据测量的关键尺寸，得到关键尺寸摇摆曲线；所述在晶圆上形成厚度渐变的光刻胶膜是：通过调整在晶圆上喷涂光刻胶的位置形成厚度渐变的光刻胶膜；所述通过调整在晶圆上喷涂光刻胶的位置形成厚度渐变的光刻胶膜包括：在偏离晶圆中心的位置喷涂光刻胶；以预先设定的高转速旋转所述晶圆，所述高转速为每分钟2000～4000转；将所述晶圆的转速降低到预先设定的中转速，所述中转速为每分钟800～2500转，然后降低到零；所述偏离晶圆中心的位置是距离晶圆中心1至7毫米的位置。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||