发明名称 用于薄膜晶体管的N型半导体材料
摘要 一种薄膜晶体管,包括有机半导体材料层,该材料包括基于四羧酸二酰亚胺3,4,9,10-苝的化合物,该化合物具有连接至每一酰亚胺氮原子的取代或未取代的苯基烷基基团。所述晶体管可进一步包括间隔开的、与所述材料接触的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了用于制造有机薄膜晶体管器件的方法,优选通过在基底上的升华或溶液相沉积,其中基底温度不超过100℃。
申请公布号 CN101084590B 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN200580044132.3 申请日期 2005.12.06
申请人 伊斯曼柯达公司 发明人 D·舒克拉;D·C·弗里曼;S·F·纳尔逊
分类号 H01L51/30(2006.01)I 主分类号 H01L51/30(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 段晓玲;赵苏林
主权项 1.一种包括在薄膜晶体管中的有机半导体材料薄膜的制品,所述有机半导体材料包括基于N,N′-二(芳基烷基)取代的苝的四羧酸二酰亚胺化合物,该化合物由以下结构表示:<img file="FSB00000669523200011.GIF" wi="1649" he="425" />其中X为二价-CH<sub>2</sub>-基团,n=1-3,以及在所述结构的第一和第二苯环上的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、和R10各自独立地选自H、CH<sub>3</sub>、线型或支化的C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烷基,Y选自烷基、链烯基、烷氧基、卤素、氰基、芳基或芳烷基,m是0。
地址 美国纽约州