半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层及位于栅氧化层上的多晶硅层，该方法还包括：以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离子注入，形成源极和漏极；将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极；以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。采用该方法不需要设立侧壁层，而且得到比现有技术更大的应力，因此可以更加灵活有效地调节沟道中载流子迁移率。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层及位于栅氧化层上的多晶硅层，其特征在于，该方法还包括：以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离子注入，形成源极和漏极；将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极，所述栅极两侧不设立栅极侧壁层；以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。