基于半导体晶体的辐射检测器及其生产方法

摘要

辐射检测器包括：半导体晶体，其具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；第一电极，其与该半导体晶体的该第一表面电耦合来允许电流在该第一电极与该晶体之间流动；以及在该第一表面上并且在该半导体晶体和该第一电极之间以便在该第一电极和该晶体之间形成部分透射的电阻挡的绝缘层。该绝缘层具有范围在大约50纳米至大约500纳米之间的厚度。

主权项

一种辐射检测器，包括：半导体晶体，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一电极，其与所述半导体晶体的所述第一表面电耦合来允许电流在所述第一电极与所述晶体之间流动；以及绝缘层，其在所述第一表面上并且在所述半导体晶体和所述第一电极之间以便在所述第一电极和所述晶体之间形成部分透射的电阻挡，所述绝缘层具有范围在大约50纳米至大约500纳米之间的厚度。